Mạch công suất chạy mosfet

     

Contents

Sơ đồ mạch khuếch đại năng suất 100W bằng MOSFET:Thiết kế mạch khuếch đại công suất MOSFET:Các vận dụng của mạch khuếch đại năng suất 100w MOSFET:

Mạch khuếch đại năng suất 100W bằng MOSFET đã được thiết kế theo phong cách để tạo nên công suất 100W nhằm truyền tải khoảng tầm 8 Ohms. Mạch khuếch đại công suất được thiết kế ở trên đây có ưu thế là tác dụng hơn với ít phát triển thành dạng chéo cánh và méo hài tổng hơn.

Bạn đang xem: Mạch công suất chạy mosfet

nguyên lý hoạt động:

Mạch này chuyển động theo nguyên lý khuếch đại hiệu suất nhiều tầng bao gồm tiền khuếch đại, trình tinh chỉnh và khuếch đại công suất sử dụng MOSFET. Giai đoạn tiền khuếch tán được thực hiện bằng phương pháp sử dụng bộ khuếch đại vi sai, tầng trình tinh chỉnh và điều khiển là cỗ khuếch đại vi không đúng với thiết lập gương hiện tại và khuếch đại năng suất được thực hiện bằng phương pháp sử dụng chuyển động MOSFET lớp AB. MOSFET có lợi thế rộng BJT là gồm mạch truyền động 1-1 giản, không nhiều bị mất bất biến nhiệt và gồm trở kháng đầu vào cao. Một bộ tiền khuếch đại bao gồm 1 mạch khuếch đại vi sai hai tầng được áp dụng để tạo thành tín hiệu khuếch đại không tồn tại tạp âm. Tầng đầu tiên của cỗ tiền khuếch đại bao hàm bộ khuếch đại phối kết hợp bộ phát chế độ vi sai áp dụng bóng chào bán dẫn PNP. Giai đoạn đồ vật hai bao gồm 1 bộ khuếch đại vi sai với cài hoạt động, để tăng cường mức độ lợi năng lượng điện áp. Mạch gương bây giờ thực sự bảo vệ dòng điện cổng đầu ra không đổi bất cứ sự thay đổi của điện áp tín hiệu đầu vào. Tín hiệu khuếch đại này tiếp đến được mang lại tầng khuếch tán kéo đẩy, tạo thành tín hiệu đầu ra năng suất cao.

Sơ đồ vật mạch khuếch đại công suất 100W bằng MOSFET:

*

Các linh phụ kiện của mạch:
R1, R4: 4k ohms R2: 100 ohms R3: 50k ohms R5: 1k ohms R6: 50k ohms R7: 10k ohms R8, R9: 100 ohms R10, R13: 470 ohms R11: 100 ohms R12: 3k ohms R14, R15: 0,33 ohms C1: 10uF C2, C3: 18pF C4: 100nF Q1, Q2: bóng chào bán dẫn BC556, PNP Q3, Q4: MJE340, bóng chào bán dẫn NPN Q5, Q6: MJE350, bóng phân phối dẫn PNP Q7: n kênh E-MOSFET, IRF530 Q8: kênh p E-MOSFET, IRF9530 V1, V2: +/- 50 V. xây đắp mạch khuếch đại hiệu suất MOSFET: 1 st Stage Differential Amplifier Thiết kế: Lựa lựa chọn điện trở phát: Để gồm bộ khuếch đại vi không nên hiệu quả, phần trăm loại bỏ chính sách chung vì R3 / R2 gửi ra buộc phải cao hơn. Điều này đòi hỏi giá trị của R2 yêu cầu thấp hơn nhiều so cùng với R3. Ở đây chúng tôi chọn một chiết áp 100 ohm là R2 và điện trở 50k là R3. Lựa lựa chọn điện trở thu: Đối với độ lợi chênh lệch khoảng chừng 50 và điện trở cỗ phát khoảng chừng 100 Ohms, quý giá của R1 với R4 được xem là khoảng 4k. Lựa chọn tụ điện ghép nối: Ở đây chúng tôi lựa chọn 1 tụ năng lượng điện 10uF nhằm ghép nối tín hiệu nguồn vào AC với đầu vào của Q1. 2 nd Stage Differential Amplifier Thiết kế: Lựa chọn R11: Đối cùng với tổng chiếc phát khoảng tầm 0,5A, quý hiếm của năng lượng điện trở phát được lựa chọn là khoảng chừng 100 ohms. Lựa chọn R12: giá trị của phân tách áp R12 được khẳng định bởi năng lượng điện áp ngưỡng Cổng của MOSFET và dòng tĩnh chạy qua cỗ thu Q4, khoảng chừng 50mA. Điều này đưa về cho R12 khoảng tầm 3k. Tương tự, quý giá của R7 được xem là khoảng 10k. Lựa lựa chọn tải: Ở đây bộ khuếch đại vi không nên được kết nối với download hoạt động, là một trong những mạch gương dòng điện. Ở đây cửa hàng chúng tôi chọn bóng buôn bán dẫn PNP MJE350 với điện trở vạc 100 ôm mỗi bóng. Các năng lượng điện trở vạc được chọn để giảm điện áp khoảng 100mV trên chúng để bảo đảm an toàn sự phù hợp tốt của những bóng cung cấp dẫn. thi công giai đoạn đầu ra của bộ khuếch đại công suất:

Ở đây chúng tôi chọn MOSFET IRF530 kênh N với MOSFET IRF9530 kênh p. Làm bộ khuếch đại công suất. Đối với công suất 100w và cài đặt 8 ôm, năng lượng điện áp áp ra output yêu cầu là khoảng tầm 40V và mẫu điện đầu ra là khoảng tầm 5A. Điều này mang đến giá trị của điện trở nguồn vào thời gian 0,33 ohms và cái điện vị mỗi MOSFET vẽ vào khoảng 1,6A (điện áp cổng đầu ra / (pi nhân với điện trở tải)).

hoạt động của mạch khuếch đại công suất 100W MOSFET:

Các bóng buôn bán dẫn PNP tạo ra thành mạch khuếch tán vi sai trong các số ấy một trong các bóng phân phối dẫn nhận biểu đạt AC đầu vào và bóng chào bán dẫn còn sót lại nhận biểu hiện đầu ra thông qua phản hồi. Tín hiệu AC được ghép với nơi bắt đầu của Q1 thông qua tụ ghép và bộc lộ phản hồi được mang đến gốc của Q2 thông qua R5 cùng R6. Đầu ra của cục khuếch đại được thiết lập bằng phương pháp điều chỉnh tách áp. Đầu ra từ cỗ khuếch đại vi không đúng giai đoạn thứ nhất được đưa tới đầu vào của bộ khuếch đại vi sai quy trình hai. Khi điện áp đầu vào lớn hơn điện áp đánh giá (trong ngôi trường hợp của cục khuếch đại vi sai trang bị nhất), thì điện áp đầu vào các bóng chào bán dẫn quận 3 và q4 của bộ khuếch đại vi sai lắp thêm hai đồng thời khác nhau. Các bóng phân phối dẫn quận 5 và quận 6 tạo thành mạch gương hiện tại.

Xem thêm: Cần Giúp Đỡ Có Ai Biết Phần Mềm Hp 3D Driveguard Là Gì, Công Nghệ Hp 3D Driveguard Là Gì Ko

Điều này đạt được là vì khi chiếc thu của q.3 tăng, mẫu góp của q.4 giảm để bảo trì dòng điện không đổi chạy qua điểm chung của những cực phát của q3 và Q4.

Ngoài ra mạch gương hiện tại tạo nên một mẫu điện cổng output bằng chiếc điện góp của Q3. Chiết áp R12 bảo đảm an toàn áp dụng xu thế DC thích hợp cho mỗi MOSFET. Vì hai MOSFET bổ sung cho nhau, lúc 1 điện áp dương được để vào cổng Q7, nó đang dẫn. Tương tự so với điện áp ngưỡng âm, q8 dẫn. Các điện trở cổng được thực hiện để ngăn áp ra output MOSFET dao động.

Đầu vào của mạch được cung cấp bởi một điện áp nguồn vào xoay chiều 1khz của 4Vp-p. Máy hiện nay sóng được kết nối thế nào cho kênh A được liên kết với đầu vào và kênh B được kết nối với đầu ra. Công suất ở download được quan sát bằng cách kết nối watt kế với tải.

các ứng dụng của mạch khuếch đại công suất 100w MOSFET: Nó hoàn toàn có thể được sử dụng để điều khiển tải âm nhạc như loa, như một cỗ khuếch đại âm thanh. Nó rất có thể được thực hiện để điều khiển tải RF như ăng ten năng suất cao. Nó hoàn toàn có thể được thực hiện để triển khai khối hệ thống loa phân tán Mạch này có thể được sử dụng trong các thiết bị điện tử như tivi, trang bị tính, đồ vật nghe nhạc mp3, v.v. hạn chế của mạch này: MOSFET dễ bị phóng điện hơn. MOSFET lấy dòng điện khá cao từ nguồn cung cấp cấp, rất có thể làm hư toàn mạch, trừ khi thực hiện cầu chì an toàn. Mạch này dễ bị dao động tần số cao. Mạch này là mạch triết lý và giành cho mục đích giáo dục.